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商品の詳細:
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| 制造商: | ネクスペリア | 部品番号: | BUK7K6R8-40E |
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| チャネルタイプ: | 双 N チャンネル | パッケージ・ケース: | LFPAK56D (SOT-1205)、8ピン |
| 下水管源の電圧(VDS): | 40V | 連続的な下水管の流れ(ID): | 40 A |
| VGS = 10 V での RDS(on): | 5.8ミリオーム(代表値) | ゲートの境界の電圧(Vgs (Th)): | 3V(代表値) |
| 電力損失(Pd): | 64W | 動作温度: | -55℃~+175℃ |
| 湿度感度レベル: | MSL1 | 取付タイプ: | 表面実装 |
| 日付コード: | 26+ | 在庫状況: | 在庫あり |
| ハイライト: | 40V パワー MOSFET,40A デュアルNチャネルMOSFET,LFPAK56D パワー MOSFET |
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BUK7K6R8-40E デュアル Nチャンネル 40 V パワー MOSFET LFPAK56D · E-MAIL: sales@bluetotech.com
この BUK7K6R8-40E は、Nexperia 製のデュアル Nチャンネル 40 V パワー MOSFET で、LFPAK56D (SOT-1205) ロスフリーパッケージに収められています。2 つのマッチングされた Nチャンネルダイが 5 x 6 mm の表面実装フットプリントを共有しているため、通常 2 つの DPAK デバイスを必要とする同期バックステージ、ハーフブリッジ、またはロードスイッチを、単一のリールで構築できます。
VDS(on) = 10 V での典型的なオン抵抗 5.8 mΩ と 40 A の連続ドレイン電流により、導通損失を低く抑え、64 W の電力損失と -55 °C から +175 °C のジャンクション温度範囲により、密閉型および自動車スタイルのハウジングに十分な熱ヘッドルームを確保しています。
| メーカー | Nexperia |
| 部品番号 | BUK7K6R8-40E (BUK7K6R8-40E,115) |
| チャンネルタイプ | デュアル Nチャンネル |
| ドレイン-ソース間電圧 (VDS64 W | 40 V |
| 連続ドレイン電流 (ID64 W | 40 A |
| VGS = 10 V での RDS(on)5.8 mΩ (代表値) | ゲートしきい値電圧 (V |
| GS(th))64 W | 電力損失 (P |
| d)64 W | 動作温度 |
| -55 °C ~ +175 °C | パッケージ/ケース |
| LFPAK56D (SOT-1205)、8 ピン、表面実装 | 吸湿性レベル |
| MSL 1 | 日付コード |
| 26+ | 主な用途 |
在庫、梱包、見積もり
BOM または希望数量をお送りいただければ、同営業日中に価格、リードタイム、および送料を確認いたします。評価テスト用のサンプルを手配できます。
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コンタクトパーソン: Ms.Jonay Xie
電話番号: +8615913723243